Nanoscale

強誘電トンネル接合メモリーのTER比は微細化により向上~次世代不揮発メモリーの高性能化に貢献~ 0403電子応用

強誘電トンネル接合メモリーのTER比は微細化により向上~次世代不揮発メモリーの高性能化に貢献~

2026-01-07 東京科学大学,科学技術振興機構東京科学大学総合研究院フロンティア材料研究所の真島豊教授らの研究グループは、次世代不揮発性メモリーとして注目される強誘電トンネル接合(FTJ)において、素子の微細化によりトンネル電気抵抗効...
コルゲートチップへの量子ドットの積層で光検出器の性能を向上 (Depositing dots on corrugated chips improves photodetector capabilities) 0403電子応用

コルゲートチップへの量子ドットの積層で光検出器の性能を向上 (Depositing dots on corrugated chips improves photodetector capabilities)

2025-05-01 アメリカ合衆国・ローレンスリバモア国立研究所 (LLNL)ChatGPT:ローレンス・リバモア国立研究所は、凹凸構造(コルゲート)チップ表面に量子ドットを高品質・高密度で一括塗布する革新的手法を開発しました。電気泳動法...
曲げ剛性解析の数理的アプローチの開拓~回位を有するグラフェンシートの材料特性を高精度で評価~ 0703金属材料

曲げ剛性解析の数理的アプローチの開拓~回位を有するグラフェンシートの材料特性を高精度で評価~

2025-07-23 東京科学大学東京科学大学と名古屋大学の研究チームは、回位を有するグラフェンシート(GS)の曲げ剛性を高精度で評価する新たな数理手法を開発。分子動力学シミュレーションとヘルフリッヒ膜理論を融合し、ナノスケールでの精密評価...
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