n型MoS2トランジスタ

ロジック半導体の性能向上の鍵となるトランジスタ材料を開発～2次元材料MoS2と層状Sb2Te3での低コンタクト抵抗の実現～

2023-02-10 産業技術総合研究所ポイントスパッタリング法で、原子レベルで制御されたSb2Te3層状物質を形成 MoS2との異種層状物質界面(ファンデルワールス界面)形成で低コンタクト抵抗を実現耐熱性があり量産も見込め、次世代CM...

2023-02-13

0403電子応用