n型導電性チャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ

世界初のn型導電性チャネルダイヤモンド電界効果トランジスタを開発～ダイヤモンドCMOS集積回路への道～

2024-01-25 物質・材料研究機構 NIMSは、世界で初めてダイヤモンドのn型チャネル動作による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) を開発しました。概要 NIMSは、世界で初めてダイヤモンドのn型チャネル動作によ...

2024-01-25

0403電子応用