LiTiMgAlGaO

高エントロピー酸化物で低抵抗・高性能TMR素子を実現〜大容量磁気ストレージでスマート社会を支える新材料〜

2025-07-09 物質・材料研究機構NIMSは、高エントロピー酸化物「LiTiMgAlGaO」をTMR素子のバリア層に用い、強い垂直磁化、高TMR比（80％超）、低電気抵抗の同時実現に成功した。従来のMgOバリアに比べてバリア高さが半分...

2025-07-09

0403電子応用