ISPSD 2025

電力密度を大幅に向上可能な「樹脂絶縁型SiCパワー半導体モジュール」を開発~「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」で、熱抵抗を21%低減。電力変換器の小型化によりカーボンニュートラルの実現に貢献~ 0403電子応用

電力密度を大幅に向上可能な「樹脂絶縁型SiCパワー半導体モジュール」を開発~「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」で、熱抵抗を21%低減。電力変換器の小型化によりカーボンニュートラルの実現に貢献~

2025-06-04 株式会社東芝東芝は、樹脂絶縁型SiC(炭化ケイ素)パワー半導体モジュールの開発に成功しました。このモジュールは、従来のセラミック絶縁型と比べて熱抵抗を21%低減し、冷却システムのサイズを最大61%縮小可能と試算されてい...
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