IGBT（パワー半導体）

シリコンに注入した水素が自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明～シリコンパワー半導体の電子濃度制御を高度化し、電力損失低減に貢献～

2026-01-14 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）、三菱電機、筑波大学、Quemixの4者は、シリコンに注入した水素が特定欠陥（I4欠陥＝格子間シリコン対由来）と結合することで自由電子を生成する機構を世界で初めて解...

2026-01-14

0403電子応用