GaScN

低消費電力なメモリデバイスに貢献する新材料の開発に成功～独自の窒化物材料を改良し、次世代メモリの有力候補に名乗り～

2024-12-04 産業技術総合研究所ポイント強誘電体メモリに使用する新材料として、窒化ガリウム（GaN）に金属添加物（Sc）を従来より高濃度に添加した、GaScN結晶を開発開発したGaScNでは、従来の窒化物材料と比べ、メモリ動作に...

2024-12-04

0403電子応用