GaNパワーデバイス

窒化ガリウム (GaN) に注入した微量なマグネシウム (Mg) の分布や電気的状態を、ナノスケールで可視化することに世界で初めて成功した。Mgイオン注入によりGaNがp型半導体に変化するメカニズムの一端が明らかに。