FeTe薄膜

結晶のひずみを抑えて超伝導を発現~薄膜界面における整数比の格子整合を介した物性制御~ 0703金属材料

結晶のひずみを抑えて超伝導を発現~薄膜界面における整数比の格子整合を介した物性制御~

2025-12-11 理化学研究所,東京大学,高エネルギー加速器研究機構理化学研究所・東京大学・高エネルギー加速器研究機構の共同研究グループは、薄膜界面で整数比(5格子:6格子)の格子整合が起きる「高次エピタキシャル成長」を利用し、テルル化...
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