CMOS/スピントロニクス融合AI半導体

大容量MRAMを搭載したエッジ領域向け「CMOS/スピントロニクス融合AI半導体」により従来比10倍以上の電力効率をシステム動作シミュレーションで確認 0403電子応用

大容量MRAMを搭載したエッジ領域向け「CMOS/スピントロニクス融合AI半導体」により従来比10倍以上の電力効率をシステム動作シミュレーションで確認

2024-10-11 新エネルギー・産業技術総合開発機構,東北大学,株式会社アイシン NEDOは「省エネAI半導体及びシステムに関する技術開発事業」(以下、本事業)において、エッジ領域に適した半導体デバイスの早期実現を目指して、開発を進めて...
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