AlN系半導体

窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明～低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体デバイスの実現に向け大きく前進～

2024-12-10 東京大学発表のポイント NTTは、AlN系半導体の結晶成長・デバイス技術の開発により、ほぼ理想的な特性を示すAlN系ショットキーバリアダイオード（SBD）の作製に成功しました。東京大学は、この理想的なAlN系SBDの...

2024-12-11

0403電子応用