0403電子応用 次世代半導体デバイス向け高性能/高機能な多結晶酸化物半導体材料 poly-IGO ナノシートを開発～次世代半導体の高性能化・高集積化・低消費電力化に期待～
2025-06-06 東京科学大学東京科学大学らの研究グループは、原子層堆積（ALD）法を用いて、Ga添加In₂O₃（poly-IGO）ナノシートを合成し、これをチャネル層に用いた電界効果トランジスタ（FET）を開発しました。このFETは、...
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