0403電子応用 イオンゲルとグラフェンで、機械学習の計算を劇的に省力化できるAIデバイスを実現～エッジAI向け省エネ技術として期待～
2025-10-14 物質・材料研究機構,東京理科大学,神戸大学,科学技術振興機構Web要約 の発言：物質・材料研究機構（NIMS）は、イオンゲルとグラフェンを組み合わせた新型AIデバイスを開発し、機械学習の計算を大幅に省力化できることを実...
AIデバイス
0403電子応用 
0501セラミックス及び無機化学製品 AI時代を支える新磁性体、二酸化ルテニウム薄膜の「交代磁性」を実証〜AI・データセンター向け高速・高密度メモリ開発に期待〜
2025-09-24 物質・材料研究機構,東京大学,京都工芸繊維大学,東北大学物質・材料研究機構（NIMS）は、二酸化ルテニウム（RuO₂）薄膜における交代磁性の実証に成功した。交代磁性はスピンが互いに打ち消し合う配置で強磁性とは異なるが、...
0403電子応用 スピン波とイオンで実現！AI向け新デバイスが高性能を達成
2024-11-22 物質・材料研究機構,ファインセラミックスセンターNIMSとファインセラミックスセンターの研究チームは、スピン波（磁気の波）とイオン制御技術を組み合わせた次世代のAIデバイスを開発しました。概要 NIMSとファインセラミ...