3GeV高輝度放射光施設NanoTerasu

デバイス材料中の電子スピンの計測時間をAI導入により大幅に短縮 ~放射光により次世代超高速・省エネ情報デバイス材料の開発に突破口~ 1700応用理学一般

デバイス材料中の電子スピンの計測時間をAI導入により大幅に短縮 ~放射光により次世代超高速・省エネ情報デバイス材料の開発に突破口~

2024-09-23 量子科学技術研究開発機構,広島大学,科学技術振興機構本研究成果のポイント 次世代超高速・省エネ情報(スピントロニクス)デバイス材料内部の電子スピン計測は、放射光を利用しても非常に長い時間を要し、実用性に乏しいものであっ...
ad
タイトルとURLをコピーしました