2次元MoS2電界効果トランジスタ

科学者がサブナノメーターサイズのトランジスタを「成長」させる方法を発見(Scientists Discover Way to “Grow” Sub-Nanometer Sized Transistors)

2024-07-03 韓国基礎科学研究院(IBS) IBSのヴァン・デル・ワールス量子固体センターのJO Moon-Ho所長率いる研究チームが、幅1 nm未満の1D金属材料のエピタキシャル成長を実現し、2D半導体論理回路の新しい構造を開発し...

2024-07-04

0403電子応用