HfO2(二酸化ハフニウム)

強誘電体二酸化ハフニウムを用いたトランジスターとメモリーの動作メカニズムを解明 0403電子応用

強誘電体二酸化ハフニウムを用いたトランジスターとメモリーの動作メカニズムを解明

強誘電体であるHfO2(二酸化ハフニウム)をゲート絶縁膜とするトランジスターがより低電圧で動作する仕組みを実験的に解明した。
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