ＦｅＡｓ－ＩｎＡｓ単結晶超格子構造

原子レベルで制御可能な結晶成長法を駆使して、鉄（Ｆｅ）－ヒ素（Ａｓ）正四面体からなるＦｅＡｓ単原子層をインジウムヒ素（ＩｎＡｓ）半導体結晶で挟んだ強磁性超格子構造の作製に成功した。