高速書き込み動作を実証

オングストローム世代半導体製造技術での 磁気抵抗メモリー基盤技術を確立 0403電子応用

オングストローム世代半導体製造技術での 磁気抵抗メモリー基盤技術を確立

高速書き込み動作を特徴づける時定数を制御できる磁気トンネル接合(MTJ)(STT-MRAMの情報記憶素子)の構造を提案し、5ナノメートル以下の直径を持つMTJ素子で3.5ナノ秒までの高速書き込み動作を実証しました。これは、STT-MRAMが将来のオングストローム世代半導体製造技術でのSRAMや高速DRAMの代替として使えることを示す重要な成果です。
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