2004放射線利用 エネルギー分解型光モニターを開発 ～眩しすぎて見ることができなかった光の芯を見た！～
2022-04-22 高輝度光科学研究センター,理化学研究所高輝度光科学研究センター（JASRI）ビームライン技術推進室の工藤統吾主幹研究員、佐野睦主幹研究員、糸賀俊朗主幹研究員、後藤俊治コーディネーター、情報技術推進室の松本崇博主幹研究員...
高輝度光科学研究センター
2004放射線利用 
0505化学装置及び設備 磁化サイクルを繰り返しても歪まない磁気冷凍材料を開発～安定に繰り返し使用可能な水素液化システム構築へ～
2022-04-01 物質・材料研究機構,科学技術振興機構,東北大学,高輝度光科学研究センター１．物質・材料研究機構（ＮＩＭＳ）は東北大学、高輝度光科学研究センター（ＪＡＳＲＩ）と共同で、水素の液化に必要な全温度範囲（７７～２０ケルビン）に...
1701物理及び化学 「100兆分の1秒」のX線レーザー時間幅を実測～極短X線レーザー時間波形の完全計測に向けて大きく前進～
2022-03-25 理化学研究所,高輝度光科学研究センター,大阪大学理化学研究所（理研）放射光科学研究センタービームライン研究開発グループビームライン開発チームの大坂泰斗研究員、矢橋牧名グループディレクター、高輝度光科学研究センター先端光...
1700応用理学一般 結晶中の強く相関する電子雲の振る舞いを解明
2022-03-25 名古屋大学国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学大学院工学研究科の萬條 太駿 大学院博士後期課程学生、澤 博 教授らの研究グループは、理化学研究所創発物性科学センターの鬼頭 俊介 基礎科学特別研究員、帝京大学、早稲田...
0703金属材料 金属の破壊はなぜ起こるのか 複合的な３Ｄ可視化技術により解析～定説と異なる真の破壊メカニズムを明らかに～
2022-03-25 京都大学,高輝度光科学研究センター,科学技術振興機構金属材料が使用されている自動車や飛行機において、金属の破壊は重大な事故につながる恐れがあることから、その破壊メカニズムについて古くから研究が行われてきました。しかし、...
0505化学装置及び設備 赤錆の光触媒作用で水素と過酸化水素を同時に製造 ～太陽光水素の利用拡大に期待～
2022-03-23 神戸大学,高輝度光科学研究センター,名古屋大学,科学技術振興機構ポイント 従来、過酸化水素生成に適していなかったヘマタイトに、異種金属イオン（スズ、チタン）をドーピングし、焼成することで、高活性な複合酸化物助触媒を形成...
0403電子応用 巧みな分子設計でn型ポリマー半導体の移動度を従来の5倍以上に向上
ポリマー半導体に高い電子受容性と秩序高い配列構造をもたらす新しいπ電子系骨格を開発した。開発したポリマー半導体は、ベンチマークポリマー半導体に比べて５倍以上高い電子移動度を示した。
0703金属材料 高強度アルミニウム合金の破壊防止法を確立 ～そのさらなる高性能化、軽量化の実現に道～
大型放射光施設SPring-8でのX線CTを利用した4D観察を活用し、高強度アルミニウム合金にある種の粒子を生成させることで、水素脆化を有効に防止できることを見出しました。
1700応用理学一般 スパースモデリングに基づく磁区パターンの位相回復アルゴリズムを開発～シングルショット計測での活躍が期待～
磁区構造に含まれるミクロな磁石の多くは隣り合った磁石と同じ強さで同じ方向を向いている、という性質をスパースモデリングによって取り入れた位相回復アルゴリズムを開発し、本手法がノイズや欠損を含むデータの解析に有効であることを明らかにしました。
2004放射線利用 SPring-8-IIに向けSACLAを高性能入射器として利用～グリーンファシリティ実現への第一歩～
X線自由電子レーザー（XFEL）施設「SACLA」の線型加速器を大型放射光施設「SPring-8」の蓄積リングの入射器として活用することに成功しました。老朽化した従来のSPring-8の入射専用加速器をSACLA線型加速器で置き換えることで、大幅に消費電力を削減し、対応する特別高圧受変電設備の更新を不要にするとともに、次期計画である「SPring-8-II」に必要な高品質の入射ビームを利用可能にしたものです。
1700応用理学一般 磁石の中の竜巻（スキルミオンひも）の３次元形状の可視化に成功 ～新しい磁気情報処理手法の開拓に期待～
磁性体の中に存在する「スキルミオンひも（電子スピンが作る竜巻構造）」の３次元形状を可視化することに、世界で初めて成功しました。ＣＴスキャンの原理を応用することで、その３次元形状の直接観測に成功しました。
0403電子応用 ポリマー半導体の高性能化に向けた新たな分子デザイン手法を開発
ポリマー半導体の化学構造を少し組み替えるだけで、電荷となるπ電子が主鎖に沿って高度に非局在化し、半導体性能の一つである電荷移動度が20倍以上向上することを発見しました。