高密度正孔ドーピング

有機半導体における電子相関の発達を初めて観測～電子相関発現のメカニズム解明と量子エレクトロニクスの発展に貢献～

2025-04-14 東京科学大学東京科学大学、東京大学、筑波大学の研究グループは、有機半導体C₈-DNBDTに高密度の正孔を注入することで、絶縁体から金属への転移後、電子相関効果が発達する様子を世界で初めて観測しました。これにより、従来ハ...

2025-04-14

0403電子応用