高伝導キャリア移動度半導体

ありふれた元素で高性能な窒化物半導体を開発 0403電子応用

ありふれた元素で高性能な窒化物半導体を開発

希少元素を含まない窒化銅 (Cu3N) を使って、p型とn型の両方で高い伝導キャリア移動度を示す半導体を開発した。
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