非揮発性メモリ

新型フラッシュメモリーデバイスを開発(Reserachers develop flash memory device) 0403電子応用

新型フラッシュメモリーデバイスを開発(Reserachers develop flash memory device)

2025-04-17 復旦大学復旦大学の研究チームは、400ピコ秒という世界最速の書き込み速度を持つフラッシュメモリ「PoX」を開発し、『Nature』誌に発表した。この速度は1秒間に250億回の動作に相当し、従来の非揮発性メモリの限界を打...
光コンピューティングにおけるマルチレベルのブレイクスルー (A Multi-Level Breakthrough in Optical Computing) 1601コンピュータ工学

光コンピューティングにおけるマルチレベルのブレイクスルー (A Multi-Level Breakthrough in Optical Computing)

2024-10-23アメリカ合衆国・ピッツバーグ大学ピッツバーグ大学、カリフォルニア大学サンタバーバラ校、カリアリ大学、東京工業大学の研究者たちは、光学的なメモリセルを用いた新しいフォトニック・インメモリ・コンピューティング技術を開発しまし...
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