電気抵抗スイッチング

2024-07-18 東京大学 発表のポイント ◆ 酸化ジルコニウム・バッファ層を用いることにより簡便な手法でシリコン（Si：ケイ素）ウェハ上に大面積の強誘電体結晶薄膜の作製が可能になりました。 ◆ 欠陥を抑制するのではなく積極的に導入する...