電気抵抗スイッチング

2024-07-18 東京大学発表のポイント◆ 酸化ジルコニウム・バッファ層を用いることにより簡便な手法でシリコン（Si：ケイ素）ウェハ上に大面積の強誘電体結晶薄膜の作製が可能になりました。◆ 欠陥を抑制するのではなく積極的に導入することに...