金属酸化物半導体ＩＧＺＯ

８ナノメートル（ｎｍ）の極薄の金属酸化物半導体ＩＧＺＯをチャネルとして、スイッチング特性に優れた高移動度なトランジスター型強誘電体メモリーの開発に成功した。