金属バナジウム

高性能スピントロニクス界面マルチフェロイク構造の信頼性を飛躍的に向上～次世代低消費電力メモリーへの応用に向けて前進～

2024-12-27 大阪大学,科学技術振興機構ポイント次世代のスピントロニクスデバイスで使用される電圧情報書き込み技術（界面マルチフェロイク構造）に関して、スピントロニクス強磁性体（磁石）と圧電体の接合構造に金属バナジウム（Ｖ）界面原子...

2024-12-27

1700応用理学一般