酸化膜境界部分の欠陥

環境に優しい手法でSiC半導体の性能倍増に成功 0403電子応用

環境に優しい手法でSiC半導体の性能倍増に成功

2020-09-08 京都大学 木本恒暢 工学研究科教授、立木馨大 同博士課程学生らの研究グループは、省エネの切り札と言われるSiC(シリコンカーバイド)半導体で20年間、問題になっていた欠陥(半導体の不完全性)を環境に優しい手法で大幅に低...
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