過電流抑制機構

デバイスが短絡した際の破壊原因となる過電流について、その抑制機構に関する物理モデルを構築した。さらに本物理モデルに基づき、「TED-MOS®」の構造的特長を生かした高自由度なデバイス設計技術を開発した。