米国Johns Hopkins大学

室温において大きな異常ホール効果を自発的に示す反強磁性体薄膜の開発に成功。反強磁性体薄膜はシリコン基板上に作製でき、室温駆動する。磁気デバイスの低消費電力化・高密度化・高速化や、反強磁性体メモリ素子・熱電変換素子の開発進展が期待される。