窒化アルミニウム(ScAlN)強誘電性半導体

スマートフォンの通信デバイスを小型化する新種のトランジスタ (New kind of transistor could shrink communications devices on smartphones) 0403電子応用

スマートフォンの通信デバイスを小型化する新種のトランジスタ (New kind of transistor could shrink communications devices on smartphones)

2023-03-08 アメリカ合衆国・ミシガン大学 ・ ミシガン大学が、スカンジウムを添加した窒化アルミニウム(ScAlN)の強誘電性半導体による高電子移動度トランジスタ(FeHEMTs)の実証に成功。 ・ 同大学では先般、次世代半導体の窒...
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