福島工業高等専門学校

非磁性/強磁性半導体ヘテロ接合において 磁場の向きを変えると符号が変わる巨大な磁気抵抗効果を発見 ~物質中の「対称性の破れ」による特異な電子伝導現象、次世代量子デバイスの可能性~ 1700応用理学一般

非磁性/強磁性半導体ヘテロ接合において 磁場の向きを変えると符号が変わる巨大な磁気抵抗効果を発見 ~物質中の「対称性の破れ」による特異な電子伝導現象、次世代量子デバイスの可能性~

2022-11-10 東京大学 1.発表のポイント: ◆非磁性半導体と強磁性半導体からなる二層のヘテロ接合(異なる物質を積層した構造)を作製し、新しい電子伝導現象を発見しました。一般に物質に磁場を印加したときの電気抵抗の変化(磁気抵抗効果)...
世界最高品質の単元素トポロジカル・ディラック半金属を実現 1700応用理学一般

世界最高品質の単元素トポロジカル・ディラック半金属を実現

世界最高品質のα-スズ(α-Sn)薄膜をIII-V族半導体インジウムアンチモン(InSb)基板(001)上に結晶成長(エピタキシャル成長)させることに成功し、α-Sn薄膜のさまざまなトポロジカル物性を初めて明らかにしました。
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