磁気トンネル接合(MTJ)

オングストローム世代半導体製造技術での 磁気抵抗メモリー基盤技術を確立 0403電子応用

オングストローム世代半導体製造技術での 磁気抵抗メモリー基盤技術を確立

高速書き込み動作を特徴づける時定数を制御できる磁気トンネル接合(MTJ)(STT-MRAMの情報記憶素子)の構造を提案し、5ナノメートル以下の直径を持つMTJ素子で3.5ナノ秒までの高速書き込み動作を実証しました。これは、STT-MRAMが将来のオングストローム世代半導体製造技術でのSRAMや高速DRAMの代替として使えることを示す重要な成果です。
トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合を集積した 次世代不揮発性メモリー SOT-MRAMの実証に成功 0403電子応用

トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合を集積した 次世代不揮発性メモリー SOT-MRAMの実証に成功

トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合(MTJ)を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリー(SOT-MRAM)素子の作製と、比較的高いトンネル磁気抵抗効果による読み出しおよびトポロジカル絶縁体による低電流密度の書き込みの実証に成功した。
熱による高速・高効率な磁極制御、MRAMとAIハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて 0403電子応用

熱による高速・高効率な磁極制御、MRAMとAIハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて

ナノサイズの磁石を熱により磁極の効率的な制御を実現した。その結果、ナノサイズの磁石が高周波電気信号を増幅するという新たな現象を発見した。
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