0403電子応用 オングストローム世代半導体製造技術での 磁気抵抗メモリー基盤技術を確立
高速書き込み動作を特徴づける時定数を制御できる磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（ＳＴＴ－ＭＲＡＭの情報記憶素子）の構造を提案し、５ナノメートル以下の直径を持つＭＴＪ素子で３．５ナノ秒までの高速書き込み動作を実証しました。これは、ＳＴＴ－ＭＲＡＭが将来のオングストローム世代半導体製造技術でのＳＲＡＭや高速ＤＲＡＭの代替として使えることを示す重要な成果です。
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）
0403電子応用 
0403電子応用 トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合を集積した 次世代不揮発性メモリー ＳＯＴ－ＭＲＡＭの実証に成功
トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリー（ＳＯＴ－ＭＲＡＭ）素子の作製と、比較的高いトンネル磁気抵抗効果による読み出しおよびトポロジカル絶縁体による低電流密度の書き込みの実証に成功した。
0403電子応用 熱による高速・高効率な磁極制御、ＭＲＡＭとＡＩハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて
ナノサイズの磁石を熱により磁極の効率的な制御を実現した。その結果、ナノサイズの磁石が高周波電気信号を増幅するという新たな現象を発見した。