0403電子応用 フッ化物を用いた磁気メモリー素子により情報の記録保持特性を改善~脳型コンピューティング用メモリーへの適用に期待
フッ化リチウム(LiF)と酸化マグネシウム(MgO)を組み合わせたトンネル障壁層を用いた新構造の磁気トンネル接合素子「MTJ素子」を開発し、磁気メモリー(MRAM)の記録保持特性の指標となる垂直磁気異方性の改善に成功した。
磁気トンネル接合素子
0403電子応用 
0403電子応用 世界最小磁気トンネル接合素子の高性能動作を実証
超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリー開発を加速2020-12-07 東北大学,科学技術振興機構ポイント 直径がわずか原子１０個程度（２．３ナノメートル）の世界最小高性能磁気トンネル接合素子を開発 車載応用可能な１５０度でも高いデータ...
0403電子応用 磁気トンネル接合素子、未踏の一桁ナノメートル領域で動作実現
超低消費電力高性能ワーキングメモリとしての実用化が期待されるＳＴＴ－ＭＲＡＭの主要構成要素である磁気トンネル接合素子の新しい方式を提案し、世界最小となる一桁ナノメートルサイズでの動作実証に成功しました。