省電力設計

0.2 Vの超低電圧でデータを保持できる新しいCMOSメモリ技術を開発～不揮発メモリを使わずに待機時電力を大幅に削減～

2025-10-31 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）の菅原聡准教授らは、わずか0.2Vという超低電圧でもデータ保持が可能な新型CMOSメモリ技術「ULVR-SRAM」を開発した。リーク電流を活用した新しい擬似nMOS...

2025-10-31

0403電子応用