界面構造

トンネル磁気抵抗（TMR）に対する新理論を提案〜TMR比向上の鍵「TMR振動」の解明に前進〜

2025-06-18 物質・材料研究機構NIMSは、磁気メモリに応用されるトンネル磁気抵抗（TMR）の向上に向け、絶縁層の厚さに伴うTMR比の振動（TMR振動）を説明する新理論を提案しました。従来不明だったこの振動の起源に対し、界面における...

2025-06-18

0403電子応用