界面効果

次世代スピントロニクスの道を拓く反強磁性トンネル接合(Interface-controlled Antiferromagnetic Tunnel Junctions Offer New Path for Next-generation Spintronics) 0403電子応用

次世代スピントロニクスの道を拓く反強磁性トンネル接合(Interface-controlled Antiferromagnetic Tunnel Junctions Offer New Path for Next-generation Spintronics)

2025-07-29 中国科学院(CAS)中国科学院の邵定富教授らは、反強磁性金属の界面効果を活用し、強いスピン分極を実現する新型トンネル接合(AFMTJ)を提案した。従来はバルク特性に依存していたが、本研究ではFe₄GeTe₂と絶縁体BN...
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