特性変化

シリコン量子ビット素子の特性が長い周期で変化する主な原因を特定~量子コンピューターの安定動作を実現する基本素子の製造技術開発に前進~ 0403電子応用

シリコン量子ビット素子の特性が長い周期で変化する主な原因を特定~量子コンピューターの安定動作を実現する基本素子の製造技術開発に前進~

2024-12-08 産業技術総合研究所ポイント シリコンFin型量子ビット素子における長周期の特性変化を解析 絶縁膜/半導体界面における電子のトラップ現象が特性変化の原因であることを初めて特定 量子コンピューターの利用可能時間を制限する各...
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