0403電子応用 窒化ガリウム (GaN) ウエハ全面の「ゆがみ」をすばやく詳細に可視化する新手法を開発
窒化ガリウム (GaN) 半導体の直径2インチウエハ結晶面の「ゆがみ」を、ウエハ全面を一度に、しかも数10マイクロメートルの空間分解能で可視化する新たな評価手法を開発しました。
0403電子応用
0501セラミックス及び無機化学製品
0403電子応用
1700応用理学一般
0402電気応用
0501セラミックス及び無機化学製品
1700応用理学一般
0501セラミックス及び無機化学製品
0202海洋空間利用
1700応用理学一般
1700応用理学一般
0502有機化学製品