0403電子応用 残渣のない電界効果トランジスタでシリコンを超える技術を開拓(Pioneering beyond-silicon technology via residue-free field effect transistors)
2023-09-04 韓国基礎科学研究院(IBS)◆韓国の研究者チームが、電界効果トランジスタ（FET）の製造に革命的な進歩をもたらす発見をしました。これにより、シリコンベースの半導体技術の限界を克服する可能性が生まれました。◆従来の製造方...