水素導入

安全かつ簡便に作れる高性能薄膜トランジスタ~水素ガス不要で、電界効果移動度は従来比10倍~ 0403電子応用

安全かつ簡便に作れる高性能薄膜トランジスタ~水素ガス不要で、電界効果移動度は従来比10倍~

2025-08-20 北海道大学北海道大学の研究グループ(太田裕道教授ら)は、水素ガスを用いずに高性能薄膜トランジスタを作製する新手法を開発しました。従来の水素添加酸化インジウム薄膜トランジスタは、主流のIGZO素子の約10倍となる高い電界...
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