水素ラジカル

半導体用高純度シリコンの収率の限界を突破

水素ラジカル発生・輸送装置の開発で15%以上の収率向上が期待2020-08-07 物質・材料研究機構 ,筑波大学NIMSと筑波大学は、従来は25%が限界といわれていた物質・材料研究機構 ,筑波大学を生成するシーメンス法のSi収率を向上させる...

2020-08-07

0501セラミックス及び無機化学製品0505化学装置及び設備