次世代デバイス

有機半導体で従来比10倍となる100cm2V-1s-1超の移動度を達成~熱振動を制御した分子設計最適化と次世代デバイス応用に期待~ 0403電子応用

有機半導体で従来比10倍となる100cm2V-1s-1超の移動度を達成~熱振動を制御した分子設計最適化と次世代デバイス応用に期待~

2025-10-02 東京大学,科学技術振興機構東京大学大学院新領域創成科学研究科の研究チームは、有機半導体材料の分子設計を最適化し、従来の約10倍となる移動度100 cm²/V·sを達成した。有機半導体は柔軟で低コストだが、熱振動による電...
磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現~磁場でも制御可能なメモリスタの開拓~ 0403電子応用

磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現~磁場でも制御可能なメモリスタの開拓~

2025-01-10 東京大学発表のポイント 強磁性体/酸化物/半導体多層膜を電極とし半導体をチャネルとした二端子素子を作製し、定電圧下において、印加された磁場の履歴を記憶でき、それを巨大な抵抗変化として読み出せるメモリ(メモリスタ)を実現...
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