欠陥制御

p型・n型制御に成功:窒化物熱電薄膜の実用化に前進―残留酸素を活用した欠陥設計でキャリア極性を制御― 0403電子応用

p型・n型制御に成功:窒化物熱電薄膜の実用化に前進―残留酸素を活用した欠陥設計でキャリア極性を制御―

2026-03-12 東北大学東北大学大学院工学研究科の研究チームは、クロム窒化物(CrN)薄膜の伝導型をn型からp型へ制御する新手法を開発した。スパッタリング装置内の残留酸素を不純物ではなく欠陥制御因子として利用し、窒素ガス流量を調整する...
次世代半導体中の欠陥からの磁場による発光の増強と単一光子発生~量子情報通信のためのデバイスの高性能化への新たなアプローチ~ 0404情報通信

次世代半導体中の欠陥からの磁場による発光の増強と単一光子発生~量子情報通信のためのデバイスの高性能化への新たなアプローチ~

2025-06-12 京都大学京都大学の篠北啓介助教らは、二次元半導体素材WSe₂(タングステン二セレン)中にわずかな欠陥を導入し、微弱な外部磁場を印加することで、単一光子の発光強度を制御できることを発見しました。磁場によって欠陥部位からの...
ad
タイトルとURLをコピーしました