0403電子応用 シリコンに注入した水素が自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明～シリコンパワー半導体の電子濃度制御を高度化し、電力損失低減に貢献～
2026-01-14 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）、三菱電機、筑波大学、Quemixの4者は、シリコンに注入した水素が特定欠陥（I4欠陥＝格子間シリコン対由来）と結合することで自由電子を生成する機構を世界で初めて解...
東京科学大学（Science Tokyo）
0403電子応用 
0402電気応用 新規窒化物強誘電体薄膜を用いた積層キャパシタの大幅なスケールダウンに成功～ロジック混載型次世代強誘電体メモリの実用化を加速～
2025-12-25 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）とキヤノンアネルバの研究グループは、窒化物強誘電体であるスカンジウム置換アルミニウム窒化物（(Al,Sc)N）薄膜を用いたPt/(Al,Sc)N/Pt積層キャパシタ...
0505化学装置及び設備 熱・光への耐性と、力で光る性質をあわせ持つ新規高分子～メカノフォア特有の反応により材料損傷を「見える化」～
2025-12-19 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）の研究チームは、熱・光に強く、機械的な力が加わったときだけ反応して発光する新規メカノフォア分子骨格「DAANAC（ジアリールアセトニトリル‐α‐カルボン酸エステル）...