強誘電体結晶

欠陥を導入した強誘電体結晶で電気抵抗スイッチングを実証～次世代ＡＩデバイス創製への応用に期待～

2024-07-18 東京大学発表のポイント ◆ 酸化ジルコニウム・バッファ層を用いることにより簡便な手法でシリコン（Si：ケイ素）ウェハ上に大面積の強誘電体結晶薄膜の作製が可能になりました。 ◆ 欠陥を抑制するのではなく積極的に導入する...

2024-07-19

0402電気応用

高性能強誘電体に潜むフラクタル性を解明

光・放射光X線・電子線を駆使して高性能強誘電体に潜むフラクタル性を解明 2017-12-13 島根大学,量子科学技術研究開発機構,岐阜大学,大阪府立大学,筑波大学,関西学院大学発表のポイント ●高性能強誘電体に潜む法則性（フラクタル性）を...

2017-12-14

1700応用理学一般