強誘電体メモリ

１ボルト以下の極めて低い動作電圧で１００兆回の書き換え回数を達成できる強誘電体メモリの開発に成功。酸化ハフニウム系強誘電体の低温作製・極薄膜化・高い強誘電特性を両立させる技術を確立し、配線工程中での作製・低電圧でのデータ読み書き・高信頼性を備えた強誘電体メモリを実現。