0402電気応用 新規窒化物強誘電体薄膜を用いた積層キャパシタの大幅なスケールダウンに成功～ロジック混載型次世代強誘電体メモリの実用化を加速～
2025-12-25 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）とキヤノンアネルバの研究グループは、窒化物強誘電体であるスカンジウム置換アルミニウム窒化物（(Al,Sc)N）薄膜を用いたPt/(Al,Sc)N/Pt積層キャパシタ...
強誘電体メモリ
0402電気応用 
0403電子応用 低消費電力なメモリデバイスに貢献する新材料の開発に成功～独自の窒化物材料を改良し、次世代メモリの有力候補に名乗り～
2024-12-04 産業技術総合研究所ポイント 強誘電体メモリに使用する新材料として、窒化ガリウム（GaN）に金属添加物（Sc）を従来より高濃度に添加した、GaScN結晶を開発 開発したGaScNでは、従来の窒化物材料と比べ、メモリ動作に...
0403電子応用 低電圧かつ長寿命のハフニア系強誘電体メモリを開発
１ボルト以下の極めて低い動作電圧で１００兆回の書き換え回数を達成できる強誘電体メモリの開発に成功。酸化ハフニウム系強誘電体の低温作製・極薄膜化・高い強誘電特性を両立させる技術を確立し、配線工程中での作製・低電圧でのデータ読み書き・高信頼性を備えた強誘電体メモリを実現。