強誘電体トンネル接合（ＦＴＪ）メモリー

ユニークな強誘電体の微細構造が初めて明らかになった(Unique ferroelectric microstructure revealed for first time)

2022-09-08 ペンシルベニア州立大学(PennState) 研究チームは、新しい強誘電体材料のユニークな微細構造を初めて観察・報告し、人体に安全な電子機器、センサー、エネルギー貯蔵用の鉛フリーの圧電材料の開発を可能にした。強い圧電...

2022-09-09

0402電気応用

強誘電体二酸化ハフニウムを用いたトランジスターとメモリーの動作メカニズムを解明

強誘電体であるＨｆＯ２（二酸化ハフニウム）をゲート絶縁膜とするトランジスターがより低電圧で動作する仕組みを実験的に解明した。

2018-12-05

0403電子応用