強誘電トンネル接合FTJ

強誘電トンネル接合メモリーのTER比は微細化により向上～次世代不揮発メモリーの高性能化に貢献～

2026-01-07 東京科学大学,科学技術振興機構東京科学大学総合研究院フロンティア材料研究所の真島豊教授らの研究グループは、次世代不揮発性メモリーとして注目される強誘電トンネル接合（FTJ）において、素子の微細化によりトンネル電気抵抗効...

2026-01-07

0403電子応用