0403電子応用 磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現～磁場でも制御可能なメモリスタの開拓～
2025-01-10 東京大学発表のポイント 強磁性体／酸化物／半導体多層膜を電極とし半導体をチャネルとした二端子素子を作製し、定電圧下において、印加された磁場の履歴を記憶でき、それを巨大な抵抗変化として読み出せるメモリ（メモリスタ）を実現...
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