室温垂直磁気異方性

二次元層状磁石への圧力印加による磁気特性の飛躍的向上 ~層状物質の隙間を縮め、より優れた二次元磁石へ~ 0402電気応用

二次元層状磁石への圧力印加による磁気特性の飛躍的向上 ~層状物質の隙間を縮め、より優れた二次元磁石へ~

2024-10-23 九州大学 理学研究院 木村 崇 教授 ポイント スピンの性質を積極的に活用したデバイスが次世代ナノエレクトロニクスとして注目されている。それらのデバイスに革新をもたらす材料として二次元層状物質が期待を集めている。 室温...
ad
タイトルとURLをコピーしました