大阪大学 産業科学研究所

トポロジカル絶縁体ＴｌＢｉＳｅ２上に普通の超伝導体Ｐｂ（鉛）の超薄膜を作製し、角度分解光電子分光法で調べた。ＴｌＢｉＳｅ２の表面上にあったトポロジカル状態が接合によってＰｂ超薄膜側に移動しトポロジカル超伝導体に変化していることを発見した。